MEMORIA RAM.
Uno de los primeros tipos de memoria RAM fue la memoria de núcleo magnético, desarrollada entre 1949 y 1952 y usada en muchos computadores hasta el desarrollo de circuitos integrados a finales de los años 60 y principios de los 70. Esa memoria requería que cada bit estuviera almacenado en un toroide de material ferromágnetico de algunos milímetros de diámetro, lo que resultaba en dispositivos con una capacidad de memoria muy pequeña. Antes que eso, las computadoras usaban relés y líneas de retardo de varios tipos construidas para implementar las funciones de memoria principal con o sin acceso aleatorio.
En 1969 fueron lanzadas una de las primeras memorias RAM basadas en semiconductores de silicio por parte de Intel con el integrado 3101 de 64 bits de memoria y para el siguiente año se presentó una memoria DRAM de 1 Kibibyte, referencia 1103 que se constituyó en un hito, ya que fue la primera en ser comercializada con éxito, lo que significó el principio del fin para las memorias de núcleo magnético. En comparación con los integrados de memoria DRAM actuales, la 1103 es primitiva en varios aspectos, pero tenía un desempeño mayor que la memoria de núcleos.
En 1973 se presentó una innovación que permitió otra miniaturización y se convirtió en estándar para las memorias DRAM: la multiplexación en tiempo de la direcciones de memoria. MOSTEK lanzó la referencia MK4096 de 4 Kb en un empaque de 16 pines, mientras sus competidores las fabricaban en el empaque DIP de 22 pines. El esquema de direccionamiento se convirtió en un estándar de facto debido a la gran popularidad que logró esta referencia de DRAM. Para finales de los 70 los integrados eran usados en la mayoría de computadores nuevos, se soldaban directamente a las placas base o se instalaban en zócalos, de manera que ocupaban un área extensa de circuito impreso. Con el tiempo se hizo obvio que la instalación de RAM sobre el impreso principal, impedía la miniaturización , entonces se idearon los primeros módulos de memoria como el SIPP, aprovechando las ventajas de la construcción modular. El formato SIMM fue una mejora al anterior, eliminando los pines metálicos y dejando unas áreas de cobre en uno de los bordes del impreso, muy similares a los de las tarjetas de expansión, de hecho los módulos SIPP y los primeros SIMM tienen la misma distribución de pines.
A finales de los 80 el aumento en la velocidad de los procesadores y el aumento en el ancho de banda requerido, dejaron rezagadas a las memorias DRAM con el esquema original MOSTEK, de manera que se realizaron una serie de mejoras en el direccionamiento como las siguientes:
FPM RAM:
Fast Page Memory - Memoria en modo de paginado. Tambien se llama FPM RAM, FPM DRAM o DRAM puesto a que evoluciona directamente de ella es algo mas rapida ya q su velocidad es de 70 o 60 nanosegundos. Fisicamente aparece como SIMMs de 30 o 72 contactos, con el modo pagina, la fila se seleciona una sola vez para todas las columnas dentro de la fila, dando asi un rapido acceso. Usada en sistemas con velocidades de bus de 66 mhz, generalmente equipos con procesadores Pentium de 100 a 200 mhz y en algunos 486.
EDO RAM:
Extended Data Output Random Acces Memory - Memoria de acceso aleatorio extendida de salida de datos. Evoluciona de la Fast Page Memory mejorando el rendimiento de un 10% aproximadamente. Con un refrescamiento de 70, 60 o 50 nanosegundos.se instala sobre todo en SIMMs de 72 contactos aunque tambien se pueden encontrar en forma de DIMMs de 168 contactos. El secreto de la memoria EDO radica en una serie de lachs que se colca a la salida de la memoria para almacenar los datos de ellos hasta que el bus de datos queda libre y pueden trasladarse ala CPU, osea mientras la FPM puede acceder al unico byte la EDO permite mover un bloque complto de memoria. Muy comun en los Pentium, Pentium Pro, AMD K6
y los primero Pentium 2.
SDRAM:
Synchronous Dynamic Random Access Memory - Memoria de acceso aleatoria sincronizado. Es casi un 20% mas rapido que la EDO RAM, La SDRAM entrelaza dos o mas matrices de memoria interna de forma que mientras se esta accediendo a una matriz, la siguiente se esta preparando para el acceso, es capaz de sincronizar todas las señales de entrada y salida con la velocidad del reloj del sistema. Es capaz de soportar velocidades de bus de 100 mhz por lo que su refrescamiento debe ser mucho mas rápido alcanzado el mismo velocidades de 10 nanosegundos. Se encuentra fisicamente en modulos DIMM de 168 contactos. Este tipo de memoria es usada generalmente en los Pentium 2 de menos de 350 mhz y en los Celeron.
BEDO RAM:
BurstExtended Data Ouput Memory Random Access - Es una evolucion de la EDO RAM la cual compite con la SDRAM. Lee los datos en ráfagas, lo que significa que una ves que se accede a un dato de una posición determinada de memoria se leen los tres siguientes datos en un solo ciclo de reloj por cada uno de ellos, reduciendo los tiempos de espera del procesador, en la actualidad soporta por los chiseps VIA 580VP, 590VP y 680VP. Al igual que la EDO RAM la limitacion de la BEDO RAM esque no puede funcionar por encima de los 66 mhz.
